JANTX2N6798：高效能N溝道功率MOSFET
產品概述
JANTX2N6798是IR公司的一款高性能N溝道功率MOSFET，專為高效能和高可靠性應用而設計。其出色的電氣特性使其在電源管理和電機控制等領域得到了廣泛應用。
產品技術資料
最大漏極源極電壓 (Vds)：60V
最大漏極電流 (Id)：75A
柵源閾值電壓 (Vgs(th))：2V - 4V
Rds(on)：0.025Ω（在Vgs = 10V時）
封裝類型：TO-220
JANTX2N6798的低導通電阻和快速開關響應特性使其在高頻應用中表現優異，能夠有效降低能量損耗。
產品應用
JANTX2N6798適用于以下應用：
開關電源
DC-DC轉換器
電機驅動
高頻開關電路
逆變器
憑借其卓越的性能，JANTX2N6798成為了設計師們在選擇功率MOSFET時的優選產品。
產品介紹
JANTX2N6798的設計旨在提供高效能和穩定性。其低導通電阻和優異的熱性能使得在高負載條件下依然能夠保持穩定的工作狀態。該器件的快速開關特性使得在各種應用場合都能保持高效能。
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