### 產品簡介
2SK3520-01MR-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝。這款MOSFET具有650V的漏源電壓（VDS）和±30V的柵源電壓（VGS），適用于高壓功率開關和控制應用。其采用Plannar技術，具有較高的阻斷電壓和適中的漏極電流（ID）能力，適用于高壓和中功率要求的場合。
### 詳細參數說明
- **型號**: 2SK3520-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**: 650V
- **柵源電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）**: 12A
- **技術**: Plannar
### 應用領域和模塊舉例
1. **電源模塊**：由于2SK3520-01MR-VB 具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻，適用于高壓功率電源模塊，如工業電源和太陽能逆變器。其能夠提供穩定的電源轉換效率，滿足設備的供電需求。
2. **電動汽車充電樁**：在電動汽車充電樁中，這款MOSFET可用于功率開關和控制，其能夠處理較高的電壓和電流，確保充電樁的穩定性和安全性。
3. **工業控制**：2SK3520-01MR-VB 適用于各種工業控制應用，如電機驅動器、UPS系統和工業自動化設備。其穩定性和適中的功率特性有助于提高工業設備的可靠性和效率。
4. **電源放大器**：這款MOSFET 還可用于音頻功率放大器和功率放大器中的開關控制部分，其適中的漏極電流和較低的導通電阻能夠提供高質量的音頻輸出。
綜上所述，2SK3520-01MR-VB 是一款適用于高壓功率開關和控制的MOSFET，具有良好的性能和穩定性，適用于電源模塊、電動汽車充電樁、工業控制和電源放大器等領域和模塊。
