### 一、產品簡介
VBsemi 2SK3529-01-VB是一款高壓單N溝道功率MOSFET，采用TO220封裝，適用于各種高電壓和低功率應用。該器件采用了SJ_Multi-EPI技術，具有較高的漏極-源極電壓承受能力和穩定性，適用于要求高電壓和低功率的電源管理和開關電路應用。

### 二、詳細參數說明

| 參數名稱         | 參數值                      |
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| 封裝類型          | TO220                     |
| 配置             | 單N溝道                   |
| 最大漏源電壓 (VDS) | 800V                      |
| 最大柵源電壓 (VGS) | ±30V                     |
| 閾值電壓 (Vth)    | 3.5V                      |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 1300mΩ @ VGS=10V         |
| 最大漏極電流 (ID)  | 5A                        |
| 技術             | SJ_Multi-EPI              |

### 三、應用領域和模塊

VBsemi 2SK3529-01-VB MOSFET 在多種領域和模塊中具有廣泛的應用，以下是幾個主要的應用場景：

1. **電源管理模塊：**
  2SK3529-01-VB 可以用于各種低功率的電源管理單元（PMU）和開關電源，其高電壓承受能力和低導通電阻有助于提高電源轉換效率和可靠性。

2. **開關電路：**
  在各種低功率開關電路中，該器件表現出色，如逆變器、直流-直流轉換器（DC-DC）和直流-交流轉換器（DC-AC）。其高電壓承受能力和低導通電阻確保了電路的穩定性和高效能。

3. **LED驅動器：**
  2SK3529-01-VB 適用于LED驅動器等低功率應用，其低功率特性和可靠性使其成為LED照明領域的理想選擇。

4. **電子開關：**
  在各種需要高壓開關的電子開關應用中，該器件也可以發揮作用，提高系統的效率和可靠性。

通過以上應用場景的介紹，可以看出VBsemi 2SK3529-01-VB是一款高壓、低功率的功率MOSFET，適用于多種高電壓和低功率要求的電子設備和系統中使用。