### 產品簡介

2SK3691-01MR-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220F封裝。具有650V的漏源電壓和4A的漏極電流，適用于中等功率應用。采用Plannar技術，具有良好的性能和可靠性。

### 詳細參數說明

- **型號**: 2SK3691-01MR-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術**: Plannar

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理模塊**：適用于中等功率的開關電源、DC-DC轉換器和逆變器等電源管理模塊。其低導通電阻和高漏源電壓特性能夠確保模塊的高效能量轉換。

2. **照明應用**：可用于LED照明驅動器和燈具中的功率控制部分，提供可靠的功率輸出和效率。

3. **工業控制**：可用于工業自動化系統中的電機控制、電源供應器和UPS系統，提供可靠的功率控制和保護功能。

4. **消費電子**：適用于消費電子產品，如智能手機充電器和筆記本電腦適配器等，提高設備的能效和性能。

5. **電動車充電樁**：可用于電動車充電樁中的功率轉換和控制部分，提高充電效率和安全性。

2SK3691-01MR-VB的性能穩定可靠，適用于多種中等功率應用，為各種電子系統提供可靠的功率控制和管理解決方案。