### 2SK3879-VB 產品簡介

2SK3879-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用TO-220F封裝，具有高漏源電壓和低導通電阻。其設計基于SJ_Multi-EPI技術，能夠提供穩定可靠的性能，在高壓應用中表現出色。廣泛應用于電源管理、開關電源、照明控制等領域。

### 2SK3879-VB 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO-220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：800V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：5A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊舉例

1. **電源管理**：2SK3879-VB 在高壓電源管理中具有優異的性能，可用作開關電源中的開關元件，提供高效的電源轉換和穩定性能。

2. **開關電源**：該型號的MOSFET適用于各種開關電源設計，包括充電器、逆變器和DC-DC轉換器等。其高漏源電壓和低導通電阻使其在高壓環境下能夠有效地控制電流。

3. **照明控制**：2SK3879-VB 可用于LED照明控制中，作為調光和開關控制的關鍵組件。其高漏源電壓和低導通電阻有助于提高照明系統的效率和穩定性。

綜上所述，2SK3879-VB 是一款適用于高壓環境的高性能MOSFET，可廣泛應用于電源管理、開關電源和照明控制等領域，為系統設計提供穩定可靠的性能。