### 產品簡介

**型號：2SK3899-ZK-VB**

2SK3899-ZK-VB 是一款由VBsemi公司生產的單N溝道MOSFET。其封裝形式為TO263，采用溝道技術，適用于高功率應用。該產品具有低導通電阻和高電流承載能力，適用于各種高功率應用場合。

### 詳細參數說明

- **封裝形式**：TO263
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：60V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：4mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：150A
- **技術**：溝道技術

### 應用領域和模塊

2SK3899-ZK-VB 適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**
  - **高功率開關電源**：在高功率開關電源中，該MOSFET能夠高效地轉換電能，減少能量損耗，提高電源的整體效率。
  - **電池充放電控制**：在需要高功率電池充放電控制的場合，如電動車充電樁、工業設備等。

2. **電機驅動**
  - **大功率電機控制**：適用于需要大功率電機控制的場合，如工業設備、電動車驅動系統等。

3. **逆變器**
  - **高功率逆變器**：用于需要高功率逆變的場合，如太陽能逆變器、UPS系統等。

4. **其他應用**
  - **電路保護**：在需要對電路進行高功率保護的場合，如過載保護、短路保護等。

2SK3899-ZK-VB憑借其高功率、低導通電阻和高電流承載能力，適用于各種高功率應用場合，為電子設備提供穩定可靠的功率管理和控制。