### 2SK4096LS_12-VB MOSFET 產品簡介

2SK4096LS_12-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO220F 封裝，適用于高壓應用。采用了 Plannar 技術，具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻，適用于需要高壓耐受和中等功率的功率管理應用。

### 2SK4096LS_12-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術**: Plannar

### 應用領域和模塊

1. **電源管理**: 2SK4096LS_12-VB 適用于各種高壓電源管理模塊，如電源開關、電源逆變器等，能夠提供穩定的電壓輸出并降低功耗。其高壓耐受能力使其成為這些應用的理想選擇。

2. **工業控制**: 這款 MOSFET 可以用于工業控制設備中的高壓電源模塊和驅動器，確保設備的穩定運行和高效能。其高電流承載能力適合各種工業環境中的高功率應用。

3. **電動汽車充電器**: 在電動汽車充電器中，2SK4096LS_12-VB 可以用于高壓充電控制模塊，確保充電過程的穩定性和安全性。其高電壓和高電流承載能力適合快速充電系統。

4. **太陽能逆變器**: 由于其高漏源電壓能力，這款 MOSFET 也適用于太陽能逆變器等系統，確保系統的穩定性和效率。在太陽能系統中，能夠有效轉換和管理高電壓，使其成為逆變器應用中的關鍵組件。