--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
2SK654-Z-E1-VB 是一款采用 TO252 封裝的單N溝道MOSFET。它設計用于高功率應用,具有100V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),適用于需要高電壓和高電流的開關和放大電路。通過先進的溝槽(Trench)技術,這款MOSFET具有低導通電阻(RDS(ON)),在10V的柵極驅動電壓下為 114mΩ,使其在高功率應用中能保持較低的導通損耗。
### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術**: 溝槽(Trench)

### 三、應用領域和模塊示例
1. **電源管理**:
2SK654-Z-E1-VB 適用于各種電源管理系統,如開關電源、DC-DC轉換器等。其高漏源電壓和導通電流能力,使其成為穩定可靠的電源控制器。
2. **汽車電子**:
在汽車電子系統中,這款MOSFET 可用于車載電源管理、照明控制等。其高耐壓和高導通電流能力使其能夠應對汽車電子系統的各種工作條件。
3. **工業控制**:
2SK654-Z-E1-VB 適用于工業控制系統中的開關電路、馬達控制等。其高導通能力和穩定性能有助于提高工業設備的效率和可靠性。
4. **電機驅動**:
在電機驅動應用中,這款MOSFET 可用于控制電機的啟動、停止和速度調節。其低導通電阻和高漏源電壓使其成為電機驅動器的理想選擇。
綜上所述,2SK654-Z-E1-VB 是一款高性能的N溝道MOSFET,適用于需要高電壓、高電流和高效率的各種電子應用。
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