### 產品簡介

2SK888-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO-220 封裝。具有 100V 的漏源電壓（VDS）和 ±20V 的柵源電壓（VGS），閾值電壓為 1.8V。其導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為 10V 時為 127mΩ。漏極電流（ID）可達 18A，采用 Trench 技術制造，具有高性能和可靠性。

### 詳細參數說明

| 參數       | 數值                    | 單位       |
|------------|-------------------------|------------|
| 封裝類型   | TO-220                  | -          |
| 配置       | 單 N 溝道               | -          |
| 漏源電壓（VDS）| 100                   | V          |
| 柵源電壓（VGS）| ±20                  | V          |
| 閾值電壓（Vth） | 1.8                  | V          |
| 導通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V | 127         | mΩ         |
| 漏極電流（ID） | 18                   | A          |
| 技術       | Trench                  | -          |

### 應用領域及模塊舉例

1. **電源管理模塊**：
  2SK888-VB 在電源管理模塊中可以應用于穩壓器和開關電源等電路中。其高漏極電流和低導通電阻特性，能夠提高電源轉換效率和減少功率損耗。

2. **工業控制**：
  在工業控制領域，2SK888-VB 可以應用于各種工業設備的電源管理和控制電路中。其高性能和可靠性使其適用于各種惡劣工業環境下的應用。

3. **汽車電子**：
  在汽車電子領域，2SK888-VB 可以用于汽車電子控制單元（ECU）和電動汽車的電機控制器中。其高耐壓和大電流特性，以及 Trench 技術的可靠性，確保了在汽車環境中的穩定性和可靠性。

4. **消費電子產品**：
  在消費電子產品中，2SK888-VB 可以用于電池保護電路、充電器和逆變器等電路中。其高效的導通電阻和大電流特性，確保了設備的高效穩定運行。

通過以上應用示例，可以看出 2SK888-VB 具有廣泛的應用領域，適用于需要高性能和可靠性的電子設備和模塊中。