### 2SK960-MR-VB MOSFET 產品簡介

**型號:** 2SK960-MR-VB  
**封裝:** TO220F  
**配置:** 單N溝道  
**技術:** Plannar（平面型）

2SK960-MR-VB 是一款高壓 N 溝道 MOSFET，適用于需要承受高電壓和中等電流的應用。其漏源電壓高達950V，適合在各種功率電子系統中使用。TO220F封裝提供了良好的散熱性能和可靠性，適用于各種環境條件下的應用。

### 2SK960-MR-VB MOSFET 詳細參數

- **VDS (漏源電壓):** 950V
- **VGS (柵源電壓):** ±30V
- **Vth (閾值電壓):** 3.5V
- **RDS(ON) (導通電阻):** 2400mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流):** 6A
- **封裝類型:** TO220F
- **技術:** Plannar

### 2SK960-MR-VB 的應用領域和模塊示例

#### 應用領域

1. **電力轉換系統:** 
  2SK960-MR-VB 可以用于各種需要高電壓和中等電流處理能力的電力轉換系統中，如逆變器、變頻器和電力因素校正器等。其優秀的性能能夠確保系統的高效穩定運行。

2. **工業控制:** 
  在工業控制系統中，2SK960-MR-VB 可以用于高壓開關電源和電動機控制器，確保系統的穩定可靠運行。

3. **電源管理系統:** 
  2SK960-MR-VB 可以用于各種電源管理系統中，如開關電源和穩壓器。其高電壓和中等電流處理能力使其成為這些系統中的理想選擇。

#### 模塊示例

1. **逆變器模塊:** 
  2SK960-MR-VB 可以用于各種逆變器模塊中，例如用于太陽能和風能系統中的逆變器。其高電壓和電流處理能力使其成為這些模塊中的重要組成部分。

2. **變頻器模塊:**
  變頻器廣泛應用于工業驅動系統中，2SK960-MR-VB 可以作為變頻器模塊的關鍵元件，確保系統的高效穩定運行。

3. **電力因素校正模塊:**
  在電力因素校正器中，2SK960-MR-VB 可以用作開關器件，幫助調整電路的功率因數，提高能源利用率。

綜上所述，2SK960-MR-VB 作為一款高壓 N 溝道 MOSFET，在各種需要高電壓和中等電流處理能力的應用中都能發揮重要作用，特別適用于需要高效能和高可靠性的電源管理系統和功率電子系統。