--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-3
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
2V7002LT1G-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的單通道 N 型 MOSFET,采用 SOT23-3 封裝。該器件具有低漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于低功率功率開(kāi)關(guān)和電壓調(diào)節(jié)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: 2V7002LT1G-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單 N 型通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(on))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 0.3A

- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù)
### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **便攜式設(shè)備**:2V7002LT1G-VB 可用于便攜式電子設(shè)備中的電源管理模塊,如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式音樂(lè)播放器。這些設(shè)備需要高效的電源開(kāi)關(guān)來(lái)延長(zhǎng)電池壽命,同時(shí)需要小型封裝以節(jié)省空間。
2. **電池管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 可以用于電池管理系統(tǒng)(BMS),用于控制電池的充放電過(guò)程。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻特性確保了電池在充電和放電過(guò)程中的安全和高效運(yùn)行。
3. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,2V7002LT1G-VB 的快速開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻使其能夠在高頻率下高效運(yùn)行,減少轉(zhuǎn)換損耗,提高整體效率。
4. **通信設(shè)備**:該 MOSFET 還可以用于通信設(shè)備中的開(kāi)關(guān)電源模塊,如路由器和基站。這些設(shè)備需要穩(wěn)定的電源管理,以確保可靠的通信性能。
5. **消費(fèi)電子**:在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,例如 LED 驅(qū)動(dòng)器、游戲機(jī)和家用電器,2V7002LT1G-VB 能夠提供高效的電源開(kāi)關(guān)解決方案,提升設(shè)備性能和能效。
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