### 產品簡介

30N20G-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO-263 封裝。具有 200V 的漏源電壓（VDS）和 ±20V 的柵源電壓（VGS），閾值電壓為 3V。其導通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為 10V 時為 48mΩ。漏極電流（ID）可達 40A，采用 Trench 技術制造，具有高性能和可靠性，非常適合各種高功率應用場景。

### 詳細參數說明

| 參數       | 數值                    | 單位       |
|------------|-------------------------|------------|
| 封裝類型   | TO-263                  | -          |
| 配置       | 單 N 溝道               | -          |
| 漏源電壓（VDS）| 200                   | V          |
| 柵源電壓（VGS）| ±20                  | V          |
| 閾值電壓（Vth） | 3                   | V          |
| 導通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V | 48          | mΩ         |
| 漏極電流（ID） | 40                   | A          |
| 技術       | Trench                  | -          |

### 應用領域及模塊舉例

1. **電源管理模塊**：
  30N20G-VB 在高壓電源管理模塊中應用廣泛，如開關電源和逆變器。其高耐壓特性和低導通電阻，使其能夠高效地轉換電源，減少功率損耗并提高效率。

2. **工業自動化設備**：
  在工業自動化設備中，30N20G-VB 可以用于電機驅動器和控制電路。其高電流處理能力和穩定性，能夠確保設備在高功率操作中的可靠性。

3. **太陽能逆變器**：
  在太陽能逆變器中，30N20G-VB 作為關鍵的功率開關元件，能夠高效地處理太陽能電池板輸出的高壓電流，確保電能的高效轉換和穩定輸出。

4. **汽車電子**：
  在汽車電子領域，30N20G-VB 可用于電動汽車的電機控制和電池管理系統中。其高耐壓和大電流特性，使其能夠應對電動汽車復雜的電力需求，提高系統的整體性能和可靠性。

通過以上應用示例，可以看出 30N20G-VB 具有廣泛的應用領域，適用于需要高性能和高可靠性的電子設備和模塊中。