### 產品簡介

3990W-VB 是一款由 VBsemi 生產的單 N 溝道功率 MOSFET，采用 TO-3P 封裝。該器件具有 600V 的漏源電壓（VDS）和 ±30V 的柵源電壓（VGS），以及 11A 的連續漏極電流（ID）。采用 SJ_Multi-EPI 技術，3990W-VB 具有較低的導通電阻和高電壓能力，適用于中高功率應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: 3990W-VB
- **封裝類型**: TO-3P
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 600V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 380mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 11A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例

3990W-VB MOSFET 適用于多種中高功率應用，包括但不限于：

1. **電源轉換器**:
  - 在中高功率電源轉換器中，如開關電源、逆變器等，3990W-VB 的低導通電阻和高電壓能力可以提高系統效率。

2. **工業電子**:
  - 在工業電子設備中，如變頻器、UPS 系統等，3990W-VB 可以提供穩定可靠的功率開關控制。

3. **電動汽車充電樁**:
  - 在電動汽車充電樁中，3990W-VB 可以用作功率開關，提供高效的充電控制。

4. **電力管理**:
  - 在需要中高功率電力管理的系統中，如電力傳輸和分配系統，3990W-VB 可以提供高效的電源控制。

5. **工業控制**:
  - 在需要中高功率控制的工業控制系統中，3990W-VB 可以提供穩定可靠的功率開關控制。

總的來說，3990W-VB 是一款性能優異的中高功率 MOSFET，適用于各種需要中高功率處理能力的應用場合，能夠提高系統的效率和可靠性。