### 產(chǎn)品簡介

3LN01C-D-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 SOT23-3 封裝。具有 60V 的漏源電壓（VDS）和 ±20V 的柵源電壓（VGS），閾值電壓為 1.7V。其導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為 4.5V 時(shí)為 3100mΩ，在柵源電壓為 10V 時(shí)為 2800mΩ。漏極電流（ID）為 0.3A，采用 Trench 技術(shù)制造，具有高性能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)       | 數(shù)值                     | 單位       |
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| 封裝類型   | SOT23-3                  | -          |
| 配置       | 單 N 溝道                | -          |
| 漏源電壓（VDS）| 60                     | V          |
| 柵源電壓（VGS）| ±20                    | V          |
| 閾值電壓（Vth） | 1.7                    | V          |
| 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V | 3100     | mΩ         |
| 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V | 2800      | mΩ         |
| 漏極電流（ID） | 0.3                    | A          |
| 技術(shù)       | Trench                   | -          |

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **移動(dòng)設(shè)備**：
  由于 3LN01C-D-VB 具有較低的漏源電壓和適度的電流處理能力，因此適用于移動(dòng)設(shè)備中的電源管理模塊，如充電管理和電池保護(hù)電路等。

2. **便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品**：
  在便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品中，3LN01C-D-VB 可以用于控制電池充放電和供電管理，例如智能手機(jī)、平板電腦和便攜式音頻設(shè)備等。

3. **醫(yī)療設(shè)備**：
  在醫(yī)療設(shè)備中，3LN01C-D-VB 可以用于電源管理和電流控制，如便攜式醫(yī)療設(shè)備、監(jiān)護(hù)設(shè)備和診斷設(shè)備等。

4. **工業(yè)控制模塊**：
  在工業(yè)控制模塊中，3LN01C-D-VB 可以用于電源開關(guān)和控制電路，如工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、機(jī)器人和傳感器等。

通過以上應(yīng)用示例，可以看出 3LN01C-D-VB 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，適用于需要低功率和可靠性的電子設(shè)備和模塊中。