### 一、產品簡介

3N0403-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用 TO262 封裝。它具有60V的漏源電壓（VDS），適用于中功率應用。該器件采用了溝道（Trench）技術，具有較低的導通電阻和高的漏極電流承載能力。

### 二、詳細參數說明

- **封裝類型**: TO262
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 5.7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 75A
- **技術**: 溝道（Trench）

### 三、應用領域和模塊示例

1. **電機驅動**:
  由于其高漏源電壓和高漏極電流承載能力，3N0403-VB 可以用作電機驅動器中的開關管，實現電機的啟動、制動和速度調節。

2. **電源管理**:
  在需要高效率和低導通電阻的電源管理系統中，這款MOSFET可以用于開關電源轉換器和功率因數校正電路（PFC）。

3. **汽車電子**:
  在汽車電子系統中，這款器件可以用于車載電源管理、電動汽車充電樁和電動汽車電機控制器等應用。

4. **工業控制**:
  3N0403-VB 也可以應用于工業控制系統中的電源開關和電動執行器，以實現高效能和可靠性。

綜上所述，3N0403-VB 是一款適用于中功率應用的單N溝道MOSFET，特別適用于電機驅動、電源管理和汽車電子等領域。