### 產品簡介
3N10L16-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用TO263封裝，具有較高的擊穿電壓和電流處理能力。它適用于各種高功率轉換和開關應用，具有優異的導通特性和可靠性。
### 詳細的參數說明
- **型號**：3N10L16-VB
- **封裝**：TO263
- **配置**：單N溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**：100V
- **柵極電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 23mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：100A
- **技術**：Trench
### 適用領域和模塊
3N10L16-VB MOSFET適用于多個領域和模塊，具有廣泛的應用范圍。以下是一些具體的應用實例：
1. **電源管理**：
- 在高性能電源管理模塊中，3N10L16-VB可用于提供高效的電壓轉換和穩壓功能，適用于工業和消費類電子設備。
2. **電機控制**：
- 適用于電動汽車、電動工具和工業電機控制系統，能夠處理大電流需求，提高系統的性能和效率。
3. **電力逆變器**：
- 在太陽能逆變器和風能逆變器中，3N10L16-VB可用于將直流電轉換為交流電，提高能源轉換效率。
4. **醫療設備**：
- 用于高功率醫療設備的電源管理和控制模塊，確保設備的穩定運行和安全性。
5. **工業自動化**：
- 在工業自動化系統中的電力控制模塊和開關模塊中使用，提供可靠的電流開關和保護功能。
通過其高擊穿電壓、低導通電阻和高漏極電流能力，3N10L16-VB MOSFET適用于各種對性能和可靠性要求高的高功率應用領域。
