### 一、3N70L-TM3-T-VB TO251 產品簡介
3N70L-TM3-T-VB 是一款由 VBsemi 生產的高性能單 N 溝道 MOSFET，采用 TO251 封裝。其特點是具有較高的漏極電壓和較低的導通電阻，能夠在 700V 的漏源電壓下工作，并具有 ±30V 的柵源電壓耐受能力。該器件采用 SJ_Multi-EPI 技術，適用于各種需要高電壓和低功率的應用場景。
### 二、3N70L-TM3-T-VB TO251 詳細參數說明
| 參數 | 說明 |
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| 封裝類型 | TO251 |
| 配置 | 單 N 溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 700V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 2400mΩ@VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 2A |
| 技術 | SJ_Multi-EPI |
### 三、3N70L-TM3-T-VB 應用領域和模塊示例
1. **電源開關模塊**
- **領域**：工業電子
- **應用**：在工業電子設備中，該 MOSFET 可用于設計高壓開關電源模塊，提供可靠的電源開關功能，適用于各種工業控制系統。
2. **太陽能逆變器**
- **領域**：可再生能源
- **應用**：在太陽能逆變器中，3N70L-TM3-T-VB 可以用于設計高效的功率逆變電路，將太陽能板產生的直流電轉換為交流電，為家庭和商業用途提供電能。
3. **高壓直流穩壓器**
- **領域**：科研實驗
- **應用**：在科研實驗室中，需要穩定的高壓直流電源供應，該器件可以用于設計高壓直流穩壓器，滿足實驗需求。
4. **電動汽車充電樁**
- **領域**：電動汽車基礎設施
- **應用**：該器件可以用于電動汽車充電樁的設計中，幫助實現高效快速的充電，提升充電樁的性能和可靠性。
