### 3PN0402-VB TO263 MOSFET 產品簡介

3PN0402-VB 是一款高性能的單 N 溝道場效應管，專為各種電子應用中的高效能管理而設計。采用 TO-263 封裝，具有優秀的熱性能和可靠性，適用于各種嚴苛的環境。具有 40V 的漏極-源極電壓（VDS）和 ±20V 的柵極-源極電壓（VGS），在不同工作條件下提供穩健的性能。該器件具有低的柵極閾值電壓（Vth）為 3V，確保在低電壓電路中易于使用。3PN0402-VB 采用 Trench 技術，提供低導通電阻，增強能效并減少熱量產生。

### 詳細參數說明

- **封裝**：TO-263
- **配置**：單 N 溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**：40V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：±20V
- **Vth（柵極閾值電壓）**：3V
- **RDS(ON)（導通電阻）**：2.5mΩ @ VGS = 4.5V，2mΩ @ VGS = 10V
- **ID（持續漏極電流）**：150A
- **技術**：Trench

### 應用示例

1. **電源管理**: 3PN0402-VB 可以廣泛應用于各種功率管理電路中，如開關電源和穩壓器，提高電路效率并減小尺寸。

2. **電機驅動**: 在電機驅動電路中，該 MOSFET 可以用作電機的控制開關，實現高效能的電動機控制。

3. **車載電子**: 由于其高電流和低導通電阻特性，適用于車載電子領域，如電動汽車充電器、電動汽車控制器等。

4. **工業自動化**: 在工業控制系統中，3PN0402-VB 可以用于各種工業自動化設備中，提高系統的可靠性和效率。

5. **醫療設備**: 由于其高性能和可靠性，可用于各種醫療設備中，如醫用電源、醫療成像設備等。

通過在這些領域中使用 3PN0402-VB MOSFET，設計者可以實現高效、可靠的電路設計，滿足不同應用的需求。