--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**40N06B-VB MOSFET**
The 40N06B-VB is a high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. Encapsulated in a TO251 package, this model features advanced Trench technology, providing low on-resistance and high current-handling capabilities. With a drain-source voltage (VDS) rating of 60V and a continuous drain current (ID) of 55A, the 40N06B-VB is ideal for applications requiring high power and reliability.
### 二、詳細的參數說明
- **Package**: TO251
- **Configuration**: Single N-Channel
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Threshold Voltage (Vth)**: 1.7V
- **On-Resistance (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 55A
- **Technology**: Trench

### 三、適用領域和模塊舉例
**領域**
1. **電源逆變器**: 40N06B-VB 可用于電源逆變器中的功率開關,實現高效的能量轉換和穩定的輸出。
2. **電動車輛**: 在電動汽車和電動自行車等車輛中,該器件可用于電池管理和功率控制。
3. **工業設備**: 在高功率工業設備中,如焊接設備和電動工具,該器件可提供可靠的功率開關控制。
**模塊**
1. **電動汽車驅動模塊**: 作為電動汽車驅動器中的主要功率開關器件,實現高效的電力傳輸和控制。
2. **電源逆變器模塊**: 在太陽能逆變器和電力調節器中,提供高效的能量轉換和電力控制。
3. **工業控制模塊**: 在工業自動化和控制系統中,可用于各種開關和控制模塊,確保系統的穩定性和可靠性。
通過其高功率和可靠性,以及卓越的功率控制特性,40N06B-VB 適用于各種高功率、高效率的應用,是現代電子系統中的理想選擇。
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