### 一、產品簡介

**43NM50N-VB TO247** 是一款單N溝道MOSFET，具有高電壓和高性能特性。采用多重外延結構（SJ_Multi-EPI）技術制造，具有較高的漏極電壓和適中的導通電阻。該器件適用于各種需要高電壓和高電流處理能力的應用場合。其TO247封裝適合于中高功率電子設備和電路板。

### 二、詳細參數說明

- **型號：** 43NM50N-VB TO247
- **封裝：** TO247
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)：** 500V
- **柵源電壓 (VGS)：** ±30V
- **閾值電壓 (Vth)：** 3.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))：** 80mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)：** 40A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 三、應用領域及模塊示例

**43NM50N-VB TO247** 可以廣泛應用于以下領域和模塊：

1. **電源逆變器：**
  - **太陽能逆變器：** 用于將太陽能板產生的直流電轉換為交流電。

2. **電動汽車充電樁：**
  - **快速充電樁：** 用于為電動汽車提供快速充電功能，需要具有高電壓和高電流處理能力。

3. **高壓電源模塊：**
  - **高壓穩壓器：** 用于提供穩定的高壓電源，適用于醫療設備和工業設備。

4. **電源開關控制器：**
  - **電源開關控制：** 用于控制電源的開關，適用于各種中高功率應用。

通過以上示例，可以看出 **43NM50N-VB TO247** 在高電壓和高功率應用場合具有廣泛的應用前景。其穩定的性能和適中的功率特性，使其成為各種高功率應用的理想選擇。