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QPD1006:高功率50V GaN

型號(hào): QPD1006:高功率50V GaN

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 工作溫度 85

--- 產(chǎn)品詳情 ---

QPD1006:高功率50V GaN RF IMFET的理想選擇
在現(xiàn)代無(wú)線通信和雷達(dá)系統(tǒng)中,功率放大器的性能直接影響到系統(tǒng)的效率和可靠性。QPD1006作為一款450 W、50 V的GaN(氮化鎵)RF IMFET(射頻絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專為1.2 - 1.4 GHz頻段設(shè)計(jì),憑借其卓越的性能和高功率輸出,成為L(zhǎng)波段雷達(dá)應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品概述
QPD1006是一款高功率射頻晶體管,具備強(qiáng)大的輸出能力和優(yōu)良的熱管理性能。其設(shè)計(jì)旨在滿足高功率和高頻率的需求,使其在各種應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。

主要特點(diǎn):
高功率輸出:最大輸出功率可達(dá)450 W,適合要求高功率的應(yīng)用場(chǎng)合。
工作電壓:50 V的設(shè)計(jì)使得QPD1006能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作,提升了系統(tǒng)的可靠性。
頻率范圍:優(yōu)化設(shè)計(jì)覆蓋1.2 - 1.4 GHz頻段,適應(yīng)多種通信和雷達(dá)應(yīng)用。
50 Ω I/O匹配:簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程,減少了外部匹配電路的復(fù)雜性,提升了系統(tǒng)集成度。
單級(jí)設(shè)計(jì):支持連續(xù)波(CW)和脈沖工作模式,提供靈活的應(yīng)用選擇。
低熱阻:優(yōu)良的熱管理性能確保在高功率輸出下的穩(wěn)定性,延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命。
封裝尺寸:18.19 x 29.24 mm的AC封裝,適合空間受限的應(yīng)用。
技術(shù)參數(shù)
輸出功率:450 W
工作電壓:50 V
頻率范圍:1.2 - 1.4 GHz
輸入輸出匹配:50 Ω
工作模式:CW和脈沖模式
熱阻:低熱阻設(shè)計(jì)
封裝類型:AC封裝,尺寸為18.19 x 29.24 mm
應(yīng)用領(lǐng)域
QPD1006的設(shè)計(jì)使其在多個(gè)高功率應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,尤其是在以下領(lǐng)域:

L波段雷達(dá):為L(zhǎng)波段雷達(dá)系統(tǒng)提供高功率和穩(wěn)定的信號(hào)輸出,確保雷達(dá)信號(hào)的準(zhǔn)確性和可靠性。
通信基站:適用于高功率射頻放大器,支持無(wú)線通信的高效傳輸。
測(cè)試設(shè)備:在射頻測(cè)試和測(cè)量設(shè)備中,QPD1006能夠提供高功率信號(hào),滿足測(cè)試需求。
工業(yè)應(yīng)用:適合需要高功率射頻信號(hào)的工業(yè)應(yīng)用,如加熱和材料處理。
結(jié)論
QPD1006是一款高性能的450 W、50 V GaN RF IMFET,憑借其卓越的功率輸出和頻率特性,能夠有效解決客戶在高功率射頻設(shè)計(jì)中的痛點(diǎn)。無(wú)論是在雷達(dá)系統(tǒng)還是通信基站中,QPD1006都能為工程師提供強(qiáng)有力的支持,幫助他們實(shí)現(xiàn)更高效、更可靠的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

如需了解更多信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)相關(guān)電子元器件供應(yīng)商網(wǎng)站,獲取詳細(xì)的產(chǎn)品資料和技術(shù)支持。

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