### 一、產(chǎn)品簡介

**50SMC8205AS6-TRG-VB SOT23-6**

50SMC8205AS6-TRG-VB 是一款雙N溝道加N溝道MOSFET，采用SOT23-6封裝。它具有漏源極電壓（VDS）為20V的特性，適用于低壓、低功率電路設計。采用Trench技術制造，具備較低的導通電阻和適中的電流承載能力。

### 二、詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**：SOT23-6
- **配置**：雙N+N溝道
- **漏源極電壓（VDS）**：20V
- **柵源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：0.5~1.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：28mΩ @ VGS = 2.5V, 24mΩ @ VGS = 4.5V
- **連續(xù)漏極電流（ID）**：6A
- **技術**：Trench

### 三、應用領域和模塊舉例

**50SMC8205AS6-TRG-VB SOT23-6** MOSFET適用于多種領域和模塊，以下是幾個具體的示例：

1. **移動設備**：在便攜式電子設備中，如智能手機、平板電腦和便攜式電源中，用于電池管理和電源轉(zhuǎn)換控制，以提供高效能和長電池續(xù)航時間。

2. **電池管理**：用于鋰電池充放電管理系統(tǒng)中，如電池保護電路和充電管理模塊，支持安全和高效的電池使用。

3. **小型電源供應**：適用于各類小型電源供應設計，如USB充電器、小型開關電源和低功率適配器，提供穩(wěn)定的輸出電壓和電流控制。

4. **醫(yī)療設備**：在便攜式醫(yī)療設備和醫(yī)療監(jiān)測系統(tǒng)中，用于電源管理和信號處理電路，確保設備的高精度和穩(wěn)定性。

綜上所述，**50SMC8205AS6-TRG-VB SOT23-6** MOSFET由于其小型封裝、低功率特性和穩(wěn)定的性能，適合于各種低功率和便攜式電子設備的設計及應用。