--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介
6618GM-VB 是一款單N溝道場效應晶體管(MOSFET),采用Trench技術制造,具有低漏極-源極電壓和極低的導通電阻,適用于低壓應用中的高性能功率開關和電源管理。
### 2. 詳細參數說明
- **型號**: 6618GM-VB
- **封裝**: SOP8
- **溝道類型**: 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**: ±20V
- **門閾電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 13A
- **技術**: Trench

### 3. 應用示例
6618GM-VB 可以應用于以下領域和模塊:
- **電源管理**: 在低壓電源管理系統中,6618GM-VB 可以作為開關電源的控制器,用于高效能的DC-DC轉換器和低壓穩壓器。
- **電動工具**: 在便攜式電動工具中,如電動剪刀、吸塵器等,6618GM-VB 可以作為電機驅動器件,提供高效率和長時間的電池使用壽命。
- **車載電子**: 在汽車電子系統中,6618GM-VB 可以用作電子控制單元(ECU)的功率開關,例如在車載照明系統、馬達驅動控制等方面,確保高效能和可靠性。
以上示例展示了6618GM-VB 在低壓高功率應用中的適用性和性能優勢,適合需要高效能、高可靠性的電子設備和系統設計。
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