--- 產品參數 ---
- 封裝 SOP8
- 溝道 Half-Bridge-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 6900GSM-VB MOSFET 產品簡介
6900GSM-VB是一款半橋N+N溝道功率MOSFET,采用SOP8封裝,由VBsemi采用Trench技術制造。該型號具有低導通電阻和適中的電流承載能力,適合用于中等功率的電子應用,特別是需要半橋配置的電路設計。
### 詳細參數說明
- **型號**: 6900GSM-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 半橋N+N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 8mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 8A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊實例
1. **電源轉換器**: 6900GSM-VB MOSFET適用于電源轉換器和開關電源設計,特別是需要半橋配置以實現高效的電能轉換和功率管理。
2. **電機驅動**: 在電動工具、電動車輛和家用電器中,6900GSM-VB可用于電機驅動器和控制電路中,提供高效的電能轉換和驅動能力。
3. **光伏逆變器**: 在光伏逆變器系統中,6900GSM-VB MOSFET可以用于電池充電控制和電流逆變,支持太陽能電池板到電網的電能轉換。
4. **LED照明**: 在LED照明系統中,6900GSM-VB可以用于LED驅動器和電源管理,提供穩定的電流和功率輸出,延長LED燈具的壽命和效能。
5. **電動工具**: 在電動工具和家用電器的電源控制中,6900GSM-VB可用于驅動電機和控制電流,確保設備的高效率和可靠性。
6900GSM-VB通過其半橋配置和優良的電氣特性,適合于多種中等功率的電子應用,為電子系統提供高效能和可靠性的功率管理解決方案。
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