### 6N65L-TN3-R-VB MOSFET 產品簡介

6N65L-TN3-R-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO252封裝。它具有650V的漏源電壓和5A的漏電流能力，適合于需要中等電壓和電流處理能力的應用。采用了SJ_Multi-EPI技術，具有較低的導通電阻和優異的熱穩定性，適用于多種電力電子應用場合。

### 6N65L-TN3-R-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO252
- **極性配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：1000mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**：5A
- **技術類型**：SJ_Multi-EPI

### 6N65L-TN3-R-VB MOSFET 應用領域與模塊示例

1. **電源適配器**：由于6N65L-TN3-R-VB具有較高的漏源電壓和適中的電流能力，它非常適合用作筆記本電腦和手機充電器等電源適配器中的開關管。其優秀的導通特性和熱穩定性可以提高設備的效率和可靠性。

2. **電動工具**：在電動工具如電鉆、電錘等中，這款MOSFET可以作為電機驅動的關鍵部件。它能夠有效地控制電機的啟停和速度調節，同時保持系統的高效能和長壽命。

3. **電動車充電器**：對于電動車充電器，6N65L-TN3-R-VB的650V漏源電壓可以滿足大容量電池組的快速充電需求，同時其低導通電阻和高電流能力確保充電效率和安全性。

通過以上例子，可以看出6N65L-TN3-R-VB MOSFET適用于需要中等至高電壓、中等電流處理能力的廣泛應用領域，包括消費電子、工業電子和電動車輛等。