### 6N90L-TF1-T-VB MOSFET 產品簡介

6N90L-TF1-T-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用TO220F封裝。它具有高達900V的漏源電壓和5A的漏電流能力，適合于需要高電壓和中等電流處理能力的應用場合。采用了SJ_Multi-EPI技術，具有較低的導通電阻和優異的熱穩定性，適用于高壓電源和工業控制系統等應用。

### 6N90L-TF1-T-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO220F
- **極性配置**：單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：900V
- **柵源電壓 (VGS)**：30V (±)
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：1500mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**：5A
- **技術類型**：SJ_Multi-EPI

### 6N90L-TF1-T-VB MOSFET 應用領域與模塊示例

1. **高壓電源**：由于6N90L-TF1-T-VB具有高達900V的漏源電壓和優異的熱穩定性，它非常適合用于工業電源中的開關電源模塊。例如，可以用于工廠自動化系統中的直流電源和電動機驅動器，保證設備的高效運行和長期穩定性。

2. **工業控制系統**：在工業控制系統中，這款MOSFET可用于高壓開關和電路保護。其高電壓能力和低導通電阻確保系統在高電壓環境下的可靠性和安全性，適用于自動化控制設備和高壓電機驅動器。

3. **電動車充電器**：對于電動車充電器，6N90L-TF1-T-VB的900V漏源電壓可以滿足大容量電池組的快速充電需求，同時其低導通電阻和高電流能力確保充電效率和安全性。

綜上所述，6N90L-TF1-T-VB MOSFET適用于需要高電壓和中等電流處理能力的各種應用領域，包括工業電源、工業控制系統和電動車充電器等，為這些領域的電力電子設備提供了穩定可靠的性能支持。