### 產品簡介：

MOSFET型號：6R250P-VB  
封裝：TO263  
配置：單N溝道  
耐壓（VDS）：650V  
柵極-源極電壓（VGS）：±30V  
閾值電壓（Vth）：3.5V  
導通電阻（RDS(ON)）：160mΩ @ VGS=10V  
漏極電流（ID）：20A  
技術：SJ_Multi-EPI

### 參數說明：

- **封裝類型（Package）：** TO263，具有較好的散熱性能，適合中功率應用。
- **配置（Configuration）：** 單N溝道，適用于開關和線性控制應用。
- **耐壓（VDS）：** 650V，適合要求較高耐壓的電源和驅動電路。
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±30V，支持廣泛的驅動電壓范圍。
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V，確保可靠的開關操作。
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 160mΩ @ VGS=10V，低導通電阻帶來較低的導通功耗和熱損失。
- **漏極電流（ID）：** 20A，能夠處理較高的電流負載。
- **技術特性（Technology）：** SJ_Multi-EPI，采用多重EPI工藝，提升了器件的性能和可靠性。

### 應用示例：

1. **電動汽車充電器：** 6R250P-VB因其高耐壓和高電流能力，在電動汽車充電器中可以有效地處理高功率充電需求，同時保證系統的安全和穩定性。
  
2. **工業電源逆變器：** 由于其低導通電阻和高耐壓特性，適用于工業電源逆變器模塊，支持工業設備的高效能源轉換。
  
3. **太陽能逆變器：** 在太陽能逆變器中，6R250P-VB可以提供可靠的電能轉換，適用于太陽能發電系統中的功率控制和電網連接。

這些應用示例展示了6R250P-VB在多個領域和模塊中的廣泛應用，體現了其在高性能和高可靠性要求下的優越表現。