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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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6R385P-VB TO220F一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 6R385P-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介詳述:

MOSFET型號:6R385P-VB TO220F  
封裝:TO220F  
構(gòu)型:單N溝道  
耐壓(VDS):650V  
柵極-源極電壓(VGS):±30V  
閾值電壓(Vth):3.5V  
導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):320mΩ @ VGS=10V  
漏極電流(ID):20A  
技術(shù):Plannar  

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**:TO220F,適合中功率應(yīng)用,具有良好的散熱性能。
- **構(gòu)型**:單N溝道設(shè)計,優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)速度。
- **耐壓**:650V,適用于要求高耐壓的電源和功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
- **柵極驅(qū)動**:支持高達(dá)±30V的柵極-源極電壓,提供靈活的控制。
- **閾值電壓**:3.5V,確保適當(dāng)?shù)拈_啟和關(guān)閉特性。
- **導(dǎo)通電阻**:320mΩ @ VGS=10V,低導(dǎo)通電阻減少功率損耗,適合中等功率的應(yīng)用需求。
- **漏極電流**:20A,能夠處理較高的電流負(fù)載。

### 應(yīng)用示例:

1. **電源轉(zhuǎn)換器**:6R385P-VB TO220F MOSFET 可以用于開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器,通過有效的能量轉(zhuǎn)換和控制,提升電源系統(tǒng)的效率和可靠性。

2. **工業(yè)驅(qū)動器**:在工業(yè)控制和驅(qū)動系統(tǒng)中,這種MOSFET可以作為開關(guān)和電流控制器,支持各種電機(jī)和設(shè)備的高效操作。

3. **電動車充電器**:適用于電動車充電器中,通過精確的電流和電壓控制,保證充電過程的高效率和安全性。

4. **太陽能逆變器**:在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,6R385P-VB TO220F MOSFET 可以用作逆變器的關(guān)鍵部件,實現(xiàn)太陽能電能的有效轉(zhuǎn)換和管理,提高系統(tǒng)的整體性能。

這些示例展示了6R385P-VB TO220F MOSFET在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用,突顯了其在高功率、高效率電子系統(tǒng)中的多功能性和適用性。

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