--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介:
VBsemi 6R600E6-VB TO220F 是一款單通道 N 型功率 MOSFET,設計用于中功率和高壓應用。具備650V的漏極-源極電壓(VDS),以及30V的最大柵極-源極電壓(VGS)范圍,適用于工業和消費電子設備中要求高效能和可靠性的功率開關應用。采用了Plannar平面晶體管技術,結構設計優化,確保了穩定性和性能。
### 2. 詳細參數說明:
- **包裝類型(Package)**:TO220F
- **結構配置(Configuration)**:單 N 型通道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V(典型)
- **導通電阻(RDS(ON))**:680mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**:12A
- **技術特性(Technology)**:Plannar(平面晶體管技術)

### 3. 應用舉例:
6R600E6-VB TO220F 在多個領域和模塊中有廣泛應用:
- **電動車充電樁**:在電動車充電樁中,需要處理高電壓和大電流的功率開關器件。該型號的650V漏極電壓和12A漏極電流能力使其成為電動車充電樁中的理想選擇,支持高效能的充電過程。
- **工業電源轉換器**:在工業電源轉換器中,特別是需要處理中等功率和高電壓的應用,如電力電池管理、UPS系統等,6R600E6-VB TO220F 提供可靠的功率開關解決方案,幫助提升系統效率和可靠性。
- **太陽能逆變器**:在太陽能發電系統的逆變器中,這款MOSFET可以作為關鍵的功率開關器件,支持將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電,以供電網使用。
這些應用場景展示了該產品在能源管理、電力轉換和工業自動化等領域中的重要作用,體現了其在處理中功率和高壓需求下的優越性能和應用靈活性。
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