### 1. 產品簡介
75645S-VB 是一款單通道 N 溝道功率 MOSFET，采用 TO263 封裝。它具有100V的漏極-源極電壓（VDS），適合中高壓力的應用。該產品采用了 Trench 技術，具有低導通電阻和高電流承載能力。
### 2. 參數說明
- **封裝類型：** TO263
- **通道類型：** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 100V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** 2.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：**
- 23mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）：** 100A
- **技術：** Trench
### 3. 應用示例
75645S-VB 在多種領域和模塊中具有廣泛的適用性，以下是一些示例：
- **電動車輛電動化：** 在電動車輛的電動化和混合動力系統中，需要能夠處理高電壓和高電流的功率開關器件。75645S-VB 的100V漏極-源極電壓和低導通電阻（特別是在10V時的10mΩ）使其成為電動車輛的電機驅動和電池管理系統中的理想選擇。
- **工業高壓應用：** 在工業自動化和高壓電源模塊中，例如高壓電源單元和工業機器人的電源和電機控制系統，75645S-VB 的高耐壓和高性能能夠提供穩定的電氣控制和能量轉換效率。
- **通信設備和電源轉換器：** 在高性能通信設備和電源轉換器中，需要高效能和穩定性能的功率 MOSFET 用于穩壓和功率管理，75645S-VB 的低導通電阻和高電流承載能力能夠滿足這些設備的要求。
這些示例展示了 75645S-VB 在高壓、高電流和高功率應用中的優越性能和廣泛適用性，通過其先進的 Trench 技術和優秀的電氣特性，支持了多個領域的功率管理和電能轉換應用需求。
