### 產品簡介詳述：
76143S-VB 是一款單N溝道MOSFET，采用TO263封裝。它設計用于應對高性能需求，具備30V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，可正負）、1.7V的低閾值電壓（Vth），以及非常低的導通電阻。在4.5V的柵極-源極電壓下，導通電阻為2.7mΩ，在10V時為2.4mΩ。該器件最大漏極電流（ID）為98A，采用先進的Trench技術，提供優異的導通特性和可靠性。

### 詳細參數說明：
- **封裝類型：** TO263
- **溝道類型：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 30V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）：** 98A
- **技術：** Trench

### 應用舉例：
1. **電源模塊和電源分配系統：** 76143S-VB適用于高功率密度的直流-直流（DC-DC）轉換器，如服務器和數據中心的電源管理模塊，確保高效的能量轉換和穩定的電力輸出。

2. **電動工具和電動汽車：** 在電池管理系統（BMS）中，該型號MOSFET可用于電池組的充放電管理，提供高效的功率開關和電池保護。

3. **工業自動化設備：** 在工業控制器和驅動器中，76143S-VB能夠處理高電流負載和頻繁的開關操作，確保設備的穩定性和可靠性。

4. **通信設備：** 作為射頻功率放大器的關鍵部件，該型號MOSFET支持高頻率的信號處理和發射，提高通信設備的性能和覆蓋范圍。

76143S-VB以其高效能和優秀的導通特性，在多個領域中都有廣泛的應用，特別是需要高功率密度和高效能轉換的電子系統和設備中。