### 1. 產品簡介：
VBsemi 76619D-VB 是一款單通道 N 型功率 MOSFET，采用了Trench溝槽結構技術，設計用于中壓應用。該器件具備100V的漏極-源極電壓（VDS），以及20V的最大柵極-源極電壓（VGS）范圍。優化的導通電阻和開關特性使其適用于需要中等電流和快速開關的功率控制電路。
### 2. 詳細參數說明：
- **包裝類型（Package）**：TO252
- **結構配置（Configuration）**：單 N 型通道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：100V
- **柵極-源極電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.8V（典型）
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 57mΩ @ VGS = 4.5V
- 55mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：25A
- **技術特性（Technology）**：Trench（溝槽結構技術）
### 3. 應用舉例：
76619D-VB TO252 在以下領域和模塊中具有廣泛應用：
- **電源逆變器**：適用于中壓逆變器中的功率開關和電流控制，可提供高效的能量轉換和穩定的輸出電壓。
- **電動車充電樁**：在電動車充電設施中，用于電池充電控制和電能管理，提供可靠的充電效率和安全性。
- **工業自動化**：用于工業自動化系統中的電機驅動和電源管理單元，確保設備的高效運行和長期穩定性。
以上示例展示了該產品在電源逆變器、電動車充電樁和工業自動化領域中的應用潛力，體現了其在高電壓、中電流和低導通電阻要求下的優越性能和廣泛適用性。
