### 86113LZ-VB MOSFET 產品簡介

86113LZ-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 Trench 技術制造，封裝為 SOT223。該器件適用于中功率應用，具有良好的導通特性和適中的電流能力。在 100V 的漏源電壓 (VDS) 下工作，柵源電壓 (VGS) 為 ±20V，閾值電壓 (Vth) 約為 1.8V。其具有較低的導通電阻和適度的漏極電流能力，適合于需要穩定性能和中等功率處理的電路設計。

### 86113LZ-VB 詳細參數說明

- **封裝形式**：SOT223
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：100V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
 - 120mΩ @ VGS=4.5V
 - 100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：5A
- **技術**：Trench

### 適用領域和模塊舉例

#### 電源轉換器和穩壓電路
86113LZ-VB SOT223 MOSFET 可以廣泛應用于電源轉換器和穩壓電路中。例如，它可以用于開關電源的功率開關部分，提供高效的電能轉換和電路控制，確保設備在不同輸入電壓下的穩定輸出。

#### 車載電子設備
在汽車電子設備中，特別是需要處理中等功率和較高電壓的應用，如汽車電源管理和電動機控制系統中，86113LZ-VB 的特性使其成為驅動器和開關控制電路中的理想選擇，以確保系統的高效能耗管理和可靠性。

#### 工業控制和自動化設備
86113LZ-VB MOSFET 適用于工業控制和自動化設備中的電源管理和電路控制應用。其穩定的性能和適度的功率處理能力，能夠滿足工業環境中對穩定性和長期可靠性的要求，例如在電動工具、工業機器人和自動化控制系統中的應用需求。

86113LZ-VB 是一款適用于中功率應用的單 N 溝道 MOSFET，具備良好的導通特性和適中的電流能力，適合于多種電源管理、開關控制和汽車電子應用。