### 一、8N60H-VB型號的產品簡介詳細
8N60H-VB是一款單N溝道功率MOSFET，采用Plannar技術制造，封裝為TO220F。它具有高達650V的漏極-源極電壓（VDS），適合于要求較高漏極電壓和穩定性能的電子應用。該器件在30V的柵源電壓（VGS）下，具有1100mΩ的導通電阻（RDS(ON)），能夠提供可靠的功率轉換性能。
### 二、8N60H-VB型號的詳細參數說明
- **封裝類型**：TO220F
- **配置**：單N溝道
- **漏源電壓（VDS）**：650V
- **柵源電壓（VGS）**：30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）**：3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**：7A
- **技術**：Plannar
### 三、適用領域和模塊舉例
8N60H-VB適用于以下領域和模塊：
1. **電源供應和轉換器**：
在各種電源供應和電源轉換器中，特別是需要處理中等至高電壓和中等功率的應用。例如，開關電源、電動工具和家用電器中的電源管理單元。
2. **工業自動化和電機控制**：
用于工業機械和自動化設備中的電機驅動和控制單元。8N60H-VB的高電壓和適中電流能力使其成為驅動大功率電機和負載的理想選擇。
3. **充電樁和電動車輛**：
在電動車輛（EV）和混合動力車輛（HEV）的充電樁和電動車輛控制器中，用于電池充電和功率管理。其高電壓能力支持安全和高效的電能轉換。
4. **太陽能逆變器**：
用于太陽能發電系統中的逆變器和電網連接裝置，以實現穩定和高效的太陽能能量轉換。
總體而言，8N60H-VB由于其高電壓能力和穩定的性能，在需要處理高電壓和中等功率的各種電子和電力應用中都能發揮重要作用。
