--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
VBsemi 8N80L-TF2-T-VB 是一款單N溝道場效應管(MOSFET),采用TO220F封裝。它具有高達800V的漏極電壓承受能力和770mΩ的低導通電阻。
### 二、詳細參數說明
| 參數 | 數值 |
|------------------------|---------------------|
| 封裝類型 | TO220F |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 800V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 770mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 7A |
| 技術 | SJ_Multi-EPI |

### 三、應用領域和模塊示例
1. **工業(yè)電源系統**:
- 8N80L-TF2-T-VB 可用作工業(yè)電源系統中的開關管,適用于高壓直流電源轉換和穩(wěn)定化控制,如工廠設備的電力供應模塊。
2. **太陽能逆變器**:
- 在太陽能發(fā)電系統的逆變器中,該器件能夠提供高效的功率轉換和穩(wěn)定的電壓輸出,確保太陽能電池板產生的直流電能能夠有效地轉換為交流電能。
3. **電動車充電樁**:
- 用于電動車充電樁的功率開關控制,保證在高壓條件下的安全、快速充電,同時確保電能傳輸的高效率。
4. **醫(yī)療設備**:
- 在需要高電壓和穩(wěn)定電源的醫(yī)療設備中,如醫(yī)用電子設備和成像系統,該MOSFET可以提供可靠的電力管理和控制。
以上示例展示了 8N80L-TF2-T-VB 在高壓、高效率能源轉換和穩(wěn)定性要求較高的各種應用場合中的廣泛應用。
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