### 一、8NM60ND-VB 產品簡介

8NM60ND-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET，采用 TO263 封裝，適合高壓功率開關和電源管理應用。它具有650V的漏源極電壓承受能力和優良的導通特性，適用于需要高效能和可靠性能的電子設備和系統。

### 二、8NM60ND-VB 詳細參數說明

- **封裝類型 (Package)**: TO263
- **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 300mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術 (Technology)**: SJ_Multi-EPI

### 三、適用領域和模塊舉例

8NM60ND-VB MOSFET 可以廣泛應用于以下領域和模塊：

1. **工業電源系統**：用于工業設備和機械的電源管理模塊，提供高效的功率開關和電流控制，確保設備在復雜工業環境中的穩定運行。

2. **電動車充電器**：作為電動車充電樁的關鍵元件，支持高效率和可靠的電池充電，適用于電動車輛的快速充電和長時間使用。

3. **太陽能逆變器**：在太陽能發電系統中，用作逆變器的核心部件，實現太陽能電能的高效轉換和輸出，支持可再生能源的利用和集成。

4. **電力傳輸和分配**：用于電力供應系統和電網管理中的功率開關和電流控制，提高電網的效率和可靠性，確保電力系統的穩定供應。

5. **電動工具和家電**：用于電動工具和家用電器的功率開關，提供高效能和可靠的電源管理，延長設備的使用壽命和性能。

綜上所述，8NM60ND-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET，特別適用于需要高電壓和高效率功率管理的各種工業和電子應用場合。