### 一、產品簡介

**產品型號：** 92940E-VB  
**封裝形式：** SOT669  
**配置：** 單N溝道MOSFET  
**技術：** Trench技術

92940E-VB是一款高性能N溝道MOSFET，采用先進的Trench技術，專為低壓應用設計，具有低導通電阻和高電流承載能力。

### 二、詳細參數說明

- **VDS（漏源極電壓）：** 40V
- **VGS（柵源極電壓）：** ±20V
- **Vth（閾值電壓）：** 1.4V
- **RDS(ON)（導通電阻）：**
 - 2.4mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.0mΩ @ VGS = 10V
- **ID（漏極電流）：** 100A

### 三、應用領域及模塊舉例

由于其低導通電阻、高電流承載能力和低壓特性，92940E-VB MOSFET適用于多種高性能和高效能的電子設備中，包括但不限于：

- **電源管理模塊：** 在低壓DC-DC轉換器中，該MOSFET能夠提供高效率的能量轉換和更低的功耗損失。
- **電池管理系統（BMS）：** 在電池保護電路中，92940E-VB可以用作電池的快速開關，確保電池的安全和長壽命。
- **電動工具和電動汽車：** 在電動機驅動系統中，特別是在電動工具和電動汽車中，這款MOSFET可以用于電機控制和電池管理，提供高效率和可靠性。
- **LED驅動器：** 在LED照明系統中，該MOSFET可以作為LED驅動電路的開關，幫助實現高效能和長壽命的照明解決方案。

綜上所述，92940E-VB MOSFET適用于多種需要高效率、高可靠性和低功耗的電子設備和系統中，是現代電子工程師的理想選擇之一。