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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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9565GEJ-VB一款Single-P溝道TO251的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 9565GEJ-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO251
  • 溝道 Single-P

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、產品簡介

**產品型號:** 9565GEJ-VB  
**封裝形式:** TO251  
**配置:** 單P溝道MOSFET  
**技術:** Trench技術

9565GEJ-VB是一款高性能P溝道MOSFET,采用先進的Trench技術設計,主要用于負載開關和功率控制應用,具有低導通電阻和高電流承載能力。

### 二、詳細參數說明

- **VDS(漏源極電壓):** -40V
- **VGS(柵源極電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** -2V
- **RDS(ON)(導通電阻):**
 - 14mΩ @ VGS = 4.5V
 - 10mΩ @ VGS = 10V
- **ID(漏極電流):** -55A

### 三、應用領域及模塊舉例

9565GEJ-VB MOSFET適用于多種負載開關和功率控制的高電流應用,具體應用包括但不限于:

- **電源開關和逆變器:** 在電源管理系統中,特別是在需要高效能轉換和低損耗的DC-DC轉換器和逆變器中,保證穩定的電壓輸出和高效率的能量轉換。
- **電池保護和管理系統(BMS):** 作為電池保護電路中的關鍵開關元件,確保電池充放電過程的安全和有效管理。
- **電動工具和電動車輛:** 在電動汽車的電機驅動和電池管理系統中,支持高功率輸出和長時間穩定運行。
- **工業自動化設備:** 在需要高功率密度和可靠性的工業控制系統中,如機器人控制、自動化生產線等,確保設備的高效運行和長期穩定性。

綜上所述,9565GEJ-VB MOSFET由于其高電流承載能力、低導通電阻和適應負載開關的特性,適用于多種對功率密度和電流管理要求較高的電子設備和系統中。

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