--- 產品參數 ---
- 封裝 TSSOP8
- 溝道 Common Drain-N+N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
966E-VB 是一款雙通道N溝道功率MOSFET,采用TSSOP8封裝,具備20V的漏源電壓和6.6A的連續漏極電流能力。該器件配置為共源極結構,適用于需要高效能和緊湊封裝的電源管理和負載開關應用。
### 產品參數
- **型號**:966E-VB
- **封裝**:TSSOP8
- **配置**:共源極N+N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:20V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 32mΩ @ VGS = 2.5V
- 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **連續漏極電流 (ID)**:6.6A
- **技術**:Trench(溝槽)

### 應用領域和模塊
966E-VB MOSFET 可以在以下多個領域和模塊中得到應用:
1. **電源管理**:
- 適用于便攜式電子設備、筆記本電腦和平板電腦等需要緊湊封裝和高效能的電源管理模塊。
2. **DC-DC轉換器**:
- 在小型DC-DC轉換器中,用作低壓降和高效率的功率開關,支持便攜式電子設備和消費電子產品的長續航時間。
3. **電動工具**:
- 作為電動工具中電池管理和電機控制的關鍵部件,確保高效的電能轉換和長時間的使用壽命。
4. **馬達控制**:
- 在家用電器和工業自動化設備中,用于馬達控制和速度調節,提供穩定和精確的馬達運行。
5. **車載電子**:
- 在汽車電子系統中,作為電池管理和功率轉換的關鍵組成部分,支持車載充電器和輔助電源系統的高效能管理。
966E-VB MOSFET 結合了高導通電阻和緊湊封裝,適合需要在有限空間內實現高功率密度和高效率的應用場景。
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