### 9685M-VB MOSFET
#### 一、產品簡介
9685M-VB 是一款單 N 溝道功率 MOSFET，采用 SOP8 封裝。該器件具有 100V 的漏源電壓（VDS），最大柵源電壓（VGS）為 ±20V，閾值電壓（Vth）為 1.8V。9685M-VB 采用了先進的溝槽技術，具有較低的導通電阻（RDS(ON)），在 VGS=4.5V 時為 33mΩ，在 VGS=10V 時為 32mΩ。最大連續漏極電流（ID）為 9A，適用于中功率負載開關和功率管理應用。
#### 二、詳細參數說明
- **封裝類型**：SOP8
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓（VDS）**：100V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- VGS=4.5V 時：33mΩ
- VGS=10V 時：32mΩ
- **最大連續漏極電流（ID）**：9A
- **技術類型**：溝槽技術
#### 三、適用領域和模塊舉例
9685M-VB MOSFET 可以廣泛應用于以下領域和模塊：
- **電源管理**：適用于中功率電源開關和電源逆變器，如電動工具、電動車輛和工業電源系統。
- **電動驅動**：在電動汽車、電動船和其他需要中功率電動驅動的應用中。
- **工業控制**：用于工業自動化中的電機控制、機械自動化和機器人應用。
- **通信設備**：在高性能通信基站和網絡設備中的功率管理和開關電路中。
9685M-VB MOSFET 的高功率處理能力和低導通電阻使其成為許多需要高效能和可靠性的電子設備中的理想選擇。
