### 一、產品簡介

**產品型號：** 97E640-VB  
**封裝形式：** SOT669  
**配置：** 單N溝道MOSFET  
**技術：** Trench技術

97E640-VB是一款單N溝道MOSFET，采用先進的Trench技術設計，具有低導通電阻和高電流承載能力，適合高性能功率管理和開關應用。

### 二、詳細參數說明

- **VDS（漏源極電壓）：** 40V
- **VGS（柵源極電壓）：** ±20V
- **Vth（閾值電壓）：** 1.4V
- **RDS(ON)（導通電阻）：**
 - 2.4mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2mΩ @ VGS = 10V
- **ID（漏極電流）：** 100A

### 三、應用領域及模塊舉例

97E640-VB適用于多種需要高效能、高可靠性的功率管理和開關控制領域，具體應用包括但不限于：

- **電源管理和供電系統：** 在開關電源、DC-DC轉換器、逆變器和穩壓器中，用于高效能的能量轉換和穩定的電源輸出。
- **電動工具和家電：** 在電動工具的電機控制、家電產品的電源管理和負載開關中，提升設備的性能和能效。
- **電動車輛充電系統：** 作為電動車充電樁中的關鍵開關器件，確保高效的充電過程和穩定的電能轉換。
- **工業自動化和電力控制：** 用于工業控制系統中的電機驅動、電力開關和功率逆變控制，提高設備的生產效率和精度。

綜上所述，97E640-VB MOSFET因其優異的導通特性和高電流承載能力，廣泛應用于要求高性能功率開關和電流控制的工業和消費電子領域。