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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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9926GO-VB一款Common Drain-N+N溝道TSSOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 9926GO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TSSOP8
  • 溝道 Common Drain-N+N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 9926GO-VB MOSFET 產品簡介

9926GO-VB是一款雙N溝道共漏極MOSFET,采用Trench技術,封裝為TSSOP8。具有低導通電阻和適中的電流容量,適合于低壓應用和需要雙通道控制的電路設計。

### 9926GO-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型**: TSSOP8
- **配置**: 雙N溝道共漏極
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 32mΩ @ VGS = 2.5V
 - 22mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6.6A
- **技術**: Trench

### 9926GO-VB MOSFET 應用領域和模塊示例

9926GO-VB適用于多種需要雙通道控制和低壓操作的領域和模塊。以下是一些應用示例:

1. **電源管理**:
  - **低壓電源模塊**: 在手機、平板電腦和其他便攜設備的電源管理模塊中,提供高效的電壓轉換和電流控制。

2. **信號處理**:
  - **信號開關**: 在低電壓信號處理電路中,用于快速和精確的信號開關控制,支持高頻率的信號處理需求。

3. **電動工具**:
  - **電動工具控制**: 在電動工具的電機控制電路中,用于電機驅動和功率調節,提供穩定的電流和功率輸出。

9926GO-VB MOSFET通過其雙通道共漏極設計和優越的導通特性,適合于需要靈活控制和高效能轉換的電子設備和系統設計。

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