### 1. 產品簡介詳細

VBsemi MOSFET 9962AGH-VB 是一款單N溝道型MOSFET，采用TO252封裝。具有以下主要特性：

- **VDS (漏極-源極電壓)**: 40V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±20V
- **Vth (門槽電壓閾值)**: 2.5V
- **RDS(ON) (導通時漏極-源極電阻)**:
 - 14mΩ @ VGS=4.5V
 - 12mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 55A
- **技術**: Trench 溝道技術

### 2. 參數說明

- **封裝**: TO252
- **電壓參數**:
 - 最大漏極-源極電壓 (VDS): 40V
 - 最大柵極-源極電壓 (VGS): ±20V
- **性能參數**:
 - 閾值電壓 (Vth): 2.5V
 - 導通電阻 (RDS(ON)):
   - 14mΩ @ VGS=4.5V
   - 12mΩ @ VGS=10V
- **電流參數**:
 - 最大漏極電流 (ID): 55A
- **技術**: Trench 溝道技術

### 3. 應用示例

9962AGH-VB MOSFET 可以廣泛應用于以下領域和模塊：

- **電源管理**: 在開關電源、DC-DC轉換器和逆變器中，用于高效能源轉換和電壓調節控制。
 
- **電動工具**: 作為電動工具的電機驅動器件，例如電動鉆機、電動剪刀和電動鋸等，能夠提供高功率輸出和快速響應。

- **電動車輛**: 用于電動汽車和電動自行車的電動系統中，作為電池管理和電機驅動的關鍵組件，提供高效的能源利用和動力輸出。

9962AGH-VB MOSFET 因其高電流承載能力、低導通電阻和可靠的技術性能，適合于需要高功率密度和穩定性能的應用場合，如工業控制、電動車輛和可再生能源系統等。