### 產品簡介

9997GM-VB是一款雙N+N溝道MOSFET，采用先進的Trench技術制造，封裝形式為SOP8。這款MOSFET在100V的漏源電壓（VDS）下運行，柵源電壓（VGS）最大可達±20V。具有低閾值電壓（Vth=1.8V）和極低的導通電阻，適合中高功率應用。

### 詳細參數說明

- **封裝形式（Package）**: SOP8
- **配置（Configuration）**: 雙N+N溝道（Dual-N+N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**: 100V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.8V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
 - 14mΩ @ VGS = 4.5V
 - 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 12A
- **技術（Technology）**: Trench

### 適用領域和模塊

9997GM-VB MOSFET適用于各種中高功率電子設備和電路模塊，以下是幾個具體應用示例：

1. **電源管理系統**：
  - 在工業電源和電信設備中，9997GM-VB可用作開關管，實現高效率的電能轉換和穩定的電壓輸出。

2. **電動車電池管理**：
  - 在電動車輛的動力電池管理系統（BMS）中，用作電池充放電控制器，確保電池安全充電和放電。

3. **電動工具**：
  - 作為電動工具中的功率開關管，控制電機的啟停和功率輸出，提高工具的性能和使用壽命。

4. **工業自動化**：
  - 在工業控制系統中，如PLC和機器人控制器，用于驅動電機、執行器和其他高功率負載的控制和保護。

5. **LED照明系統**：
  - 作為LED驅動電路中的開關管，管理LED燈的電流和亮度，提供穩定的照明效果和長壽命。

9997GM-VB具有雙N+N溝道設計，提供了更靈活的電路配置和更高的電流容量，適合需要高效能管理和可靠性的中高功率電子應用場景。