### 產品簡介
9R500C-VB是一款單N溝道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技術制造，封裝形式為TO220F。這款MOSFET具有高達900V的漏源電壓（VDS）能力，柵源電壓（VGS）最大可達±30V。具有較高的閾值電壓（Vth=3.5V）和低導通電阻，適合中功率應用場合。
### 詳細參數說明
- **封裝形式（Package）**: TO220F
- **配置（Configuration）**: 單N溝道（Single-N-Channel）
- **漏源電壓（VDS）**: 900V
- **柵源電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**:
- 370mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 15A
- **技術（Technology）**: SJ_Multi-EPI
### 適用領域和模塊
9R500C-VB MOSFET適用于多種中功率電子設備和電路模塊，以下是幾個具體應用示例：
1. **電源轉換器**：
- 在高壓開關電源和DC-DC轉換器中，9R500C-VB用于高效的電能轉換和電壓調節，如工業電源和通信設備的電源管理模塊。
2. **電動車充電樁**：
- 作為電動車充電樁中的關鍵元件，用于高壓直流充電管理和電池保護，確保充電效率和電池壽命。
3. **工業驅動器**：
- 在工業驅動器和電機控制系統中，用于驅動高壓電機和執行器，提供高效的電力輸出和快速的響應速度。
4. **電源管理**：
- 在工業自動化系統中，如PLC控制器和工業機器人控制系統，9R500C-VB用于穩定的電力管理和設備運行所需的高效能電源支持。
5. **太陽能逆變器**：
- 在太陽能發電系統中，作為逆變器的關鍵部件，用于高壓開關和直流-交流轉換，確保太陽能電池板的高效能轉換和電網接入的穩定性。
9R500C-VB具有高漏源電壓和低導通電阻的優勢，適合需要處理高電壓和中功率要求的各類工業和消費電子應用場景。
