### 產品簡介
**9T18GH-VB** 是一款由 VBsemi 公司生產的單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），采用 TO252 封裝。該型號的 MOSFET 具有 30V 的漏源電壓（VDS）和最大 70A 的漏極電流（ID），采用 Trench 技術，適用于高電流和低壓降的應用。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：30V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**：70A
- **技術**：Trench
### 應用領域和模塊
**9T18GH-VB** MOSFET 可以在以下領域和模塊中得到應用：
1. **電源管理和電源轉換器**：適用于高功率密度的直流-直流（DC-DC）轉換器和開關模式電源（SMPS），能夠提供低壓降和高效能量轉換。
2. **電動工具和電動車輛**：在電動工具如電動鉆、電動鋸等的電源開關電路中，9T18GH-VB 可以提供高效的功率控制和短路保護功能。
3. **服務器和數據中心設備**：用于服務器電源管理單元（VRM）、數據中心的電源分配和管理，確保設備的高效運行和穩定的電源供應。
4. **電動車充電器**：在電動車輛（EV）和混合動力車輛（HEV）的充電系統中，作為電源開關和充電控制器，支持高速充電和能量轉換效率。
5. **工業控制系統**：適用于工業自動化和控制系統中的電機驅動、電源開關和傳感器接口，提供高可靠性和穩定性能的電源管理解決方案。
綜上所述，9T18GH-VB 是一款適用于高電流和低壓降要求的高性能 MOSFET，廣泛用于工業、消費電子和汽車電子等領域的功率控制和管理應用。
