### 產品簡介
9WNMD2157-VB是一款雙N+N溝道MOSFET，采用SOT23-6封裝。該器件設計用于低壓應用，具有低導通電阻和高電流承載能力，適合于需要緊湊封裝和高效能轉換的電子設備。
### 產品參數
- **封裝類型**: SOT23-6
- **配置**: 雙N+N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 2.5V
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 6A
- **技術**: Trench
### 適用領域和模塊
9WNMD2157-VB MOSFET適用于以下領域和模塊：
1. **移動設備充電器**：由于其緊湊的SOT23-6封裝和低功耗特性，適用于各類移動設備充電器和電源適配器中，能夠提供高效能轉換和穩定的電源輸出。
2. **便攜式電子設備**：用于各類便攜式電子設備如智能手機、平板電腦等的電源管理和電池保護電路中，有效延長電池壽命并提升設備性能。
3. **消費電子產品**：在消費電子產品如數碼相機、便攜式游戲機等的電源開關和功率管理電路中，能夠實現高效的電能轉換和穩定的電壓輸出。
4. **LED驅動器**：適用于LED照明系統的驅動電路中，能夠提供穩定的電流和功率管理，確保LED燈具長期穩定亮度和高效能轉換。
5. **醫療設備**：在便攜式醫療設備如便攜式監護儀、醫療圖像設備等的電源管理和功率轉換模塊中，9WNMD2157-VB能夠提供可靠的電力輸出和長時間穩定運行。
綜上所述，9WNMD2157-VB MOSFET適用于多種低壓、高電流的電子應用，特別適合于緊湊型和便攜式電子設備的電源管理和功率轉換需求。
