--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6
- 溝道 Dual-P+P
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介詳
**AFP3993TS6RG-VB MOSFET**
AFP3993TS6RG-VB是一款雙P溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝。它具有負(fù)漏源電壓和優(yōu)異的導(dǎo)通特性,適用于需要高效能和高性能的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
### 詳細(xì)的參數(shù)說明
- **封裝類型**: SOT23-6
- **晶體管配置**: 雙P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS=2.5V
- 75mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術(shù)類型**: Trench(溝槽)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例
**電源管理**:
AFP3993TS6RG-VB適用于負(fù)漏源電壓的電源管理電路,如電池管理系統(tǒng)和便攜式電子設(shè)備的電源開關(guān)。其優(yōu)異的導(dǎo)通特性和小型封裝使其在空間受限和功耗敏感的應(yīng)用中表現(xiàn)突出。
**電路保護(hù)**:
在各種電子設(shè)備中,AFP3993TS6RG-VB可用于電路保護(hù),特別是需要保護(hù)負(fù)漏源電壓下的電路免受過電流和過電壓的損害的應(yīng)用場景。
**傳感器接口**:
在傳感器接口電路中,AFP3993TS6RG-VB的快速開關(guān)特性可以確保傳感器信號(hào)的精確捕捉和處理,適用于各種傳感器驅(qū)動(dòng)和信號(hào)調(diào)理應(yīng)用。
**便攜式醫(yī)療設(shè)備**:
由于其小型封裝和低功耗特性,AFP3993TS6RG-VB非常適合用于便攜式醫(yī)療設(shè)備的電源管理和電路保護(hù),確保設(shè)備在醫(yī)療環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能表現(xiàn)。
綜上所述,AFP3993TS6RG-VB作為一款雙P溝道MOSFET,由于其負(fù)漏源電壓和優(yōu)異的電氣特性,在電源管理、電路保護(hù)、傳感器接口和便攜式醫(yī)療設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用前景。
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