### 產品簡介詳

**AFP6801TS6RG-VB MOSFET**

AFP6801TS6RG-VB是一款雙P溝道MOSFET，采用SOT23-6封裝。它適用于負漏源電壓應用，并具有優異的導通特性和可靠性，適合在各種電子系統中提供高效能和穩定性能。

### 詳細的參數說明

- **封裝類型**: SOT23-6
- **晶體管配置**: 雙P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 100mΩ @ VGS=2.5V
 - 75mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術類型**: Trench（溝槽）

### 應用領域和模塊舉例

**電源管理**:
AFP6801TS6RG-VB適用于負漏源電壓的電源管理電路，特別是在電池供電設備和便攜式電子產品中，可用于電源開關和電流控制。

**電路保護**:
在各種電路保護應用中，如過電流保護和過電壓保護電路中，AFP6801TS6RG-VB可以有效地保護電子設備免受損害。

**傳感器接口**:
在傳感器接口電路中，AFP6801TS6RG-VB的快速開關特性和穩定性能使其成為傳感器信號處理和驅動電路的理想選擇。

**便攜式消費電子產品**:
由于其小型封裝和低功耗特性，AFP6801TS6RG-VB適合用于便攜式消費電子產品，如智能手機、平板電腦和便攜式音頻設備的電源管理和電路控制。

綜上所述，AFP6801TS6RG-VB作為一款雙P溝道MOSFET，在負漏源電壓應用中具有廣泛的應用潛力，特別適合于電源管理、電路保護、傳感器接口和便攜式消費電子產品等多個領域的電子系統設計。