特點
- 采用 BAM（批量采集模式）的動態(tài)效率線
采集模式）
- 1.7 V 至 3.6 V 電源
-40 °C 至 85/105/125 °C 溫度范圍
- 內(nèi)核 ARM? 32 位 Cortex?-M4 CPU，帶 FPU、
自適應實時加速器（ART
加速器（ART
閃存，頻率高達 84 MHz、
內(nèi)存保護單元，105 DMIPS/
1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及 DSP
指令
- 內(nèi)存
- 高達 256 Kbytes 的閃存
- 512 字節(jié) OTP 存儲器
- 多達 64 千字節(jié)的 SRAM
- 時鐘、復位和電源管理
- 1.7 V 至 3.6 V 應用電源和 I/O
- POR、PDR、PVD 和 BOR
- 4-26 MHz 晶體振蕩器
- 內(nèi)部 16 MHz 工廠微調(diào) RC
- 用于 RTC 的 32 kHz 振蕩器，帶校準功能
- 帶校準的內(nèi)部 32 kHz RC
- 功耗
- 運行：128 μA/MHz（外設關閉）
- 停止（閃存處于停止模式，快速喚醒
時間）： 42 μA typ @ 25 °C；
25 °C 時最大 65 μA
- 停止（閃存處于深度掉電模式、
慢喚醒時間）：低至 10 μA typ@
25 °C 時最大 28 μA
- 待機：2.4 μA @ 25 °C / 1.7 V（無 RTC
待機：2.4 μA @25 °C / 1.7 V（無 RTC）；12 μA @85 °C @1.7 V
- 用于 RTC 的 VBAT 電源：1 μA @25 °C
- 1×12 位、2.4 MSPS A/D 轉(zhuǎn)換器：最多 16
通道
- 通用 DMA：16 個流 DMA
控制器，支持 FIFO 和突發(fā)
- 多達 11 個定時器：多達 6 個 16 位、2 個 32 位
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- CPU內(nèi)核 ARM-M4
- CPU最大主頻 84MHz
- 程序存儲容量 256KB
- 程序存儲器類型 FLASH
- 封裝: LQFP-64(10x10)
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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